EMZ1DXV6T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

EMZ1DXV6T1概述

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

- 双极 BJT - 阵列 NPN，PNP 60V 100mA 180MHz，140MHz 500mW 表面贴装型 SOT-563

得捷:
TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 60V 0.1A 6-Pin SOT-563 T/R

EMZ1DXV6T1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -100 mA

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买EMZ1DXV6T1

型号： EMZ1DXV6T1

描述：双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

替代型号EMZ1DXV6T1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
EMZ1DXV6T1 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
EMZ1DXV6T1G 安森美	完全替代	EMZ1DXV6T1和EMZ1DXV6T1G的区别
EMZ1DXV6T5 安森美	功能相似	EMZ1DXV6T1和EMZ1DXV6T5的区别
EMZ1DXV6T5G 安森美	功能相似	EMZ1DXV6T1和EMZ1DXV6T5G的区别