2个NPN-预偏置 100mA 50V
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
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2个NPN-预偏置 100mA 50V
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 5-Pin EMT T/R
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 5-Pin EMT T/R
Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
额定电压DC 50.0 V
额定电流 30.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SMD-6
宽度 1.2 mm
封装 SMD-6
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
EMG2T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FMG2AT148 罗姆半导体 | 类似代替 | EMG2T2R和FMG2AT148的区别 |
UMG2NTR 罗姆半导体 | 类似代替 | EMG2T2R和UMG2NTR的区别 |