EMX1DXV6T1

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EMX1DXV6T1概述

EMX1DXV6T1 NPN+NPN复合三极管 60V 100mA 120~560 SOT-563 标记3X9 用于开关/数字电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 100MA 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 180MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 120~560 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.4V 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.5W 描述与应用 Description & Applications | 特点 •双NPN通用放大器 •缩小板级空间 •高HFE,210-460(典型值) •低VCE(SAT),<0.5 V •这些都是Pb-Free设备 技术文档PDF下载 | 在线阅读

EMX1DXV6T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买EMX1DXV6T1
型号: EMX1DXV6T1
描述:EMX1DXV6T1 NPN+NPN复合三极管 60V 100mA 120~560 SOT-563 标记3X9 用于开关/数字电路
替代型号EMX1DXV6T1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

EMX1DXV6T1

ON Semiconductor 安森美

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EMX1DXV6T1G

安森美

完全替代

EMX1DXV6T1和EMX1DXV6T1G的区别

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