EMT1DXV6T5概述
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor
- 双极 BJT - 阵列 2 PNP（双） 60V 100mA 140MHz 500mW 表面贴装型 SOT-563
得捷:
TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 60V Dual PNP
EMT1DXV6T5中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 357 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-563-6
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.55 mm
封装 SOT-563-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
在线购买EMT1DXV6T5
替代型号EMT1DXV6T5
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
EMT1DXV6T5 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
EMT1DXV6T5G 安森美 | 功能相似 | EMT1DXV6T5和EMT1DXV6T5G的区别 |