EMD53T2R概述
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
欧时:
PNP+PNP -100mA -50V Complex Dig Trans
得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
EMD53T2R中文资料参数规格
EMD53T2R引脚图与封装图 
在线购买EMD53T2R
型号： EMD53T2R
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率