EMH2T2R 编带
EMH2 Series 50 V 100 mA 150 mW Dual NPN Complex Digital Transistor - EMT-6
得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
立创商城:
2个NPN-预偏置 100mA 50V
e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 100mA 6-Pin EMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 6-Pin EMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R
Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
额定电压DC 50.0 V
额定电流 30.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 68
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 EMT-6
封装 EMT-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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EMH2T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
EMH25T2R 罗姆半导体 | 功能相似 | EMH2T2R和EMH25T2R的区别 |