EMD59T2R参数规格_中文资料_数据手册PDF

EMD59T2R概述

EMT NPN+PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R

Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMD59T2R中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.15 W

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

EMD59T2R引脚图与封装图

在线购买EMD59T2R

型号： EMD59T2R

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：EMT NPN+PNP 50V 100mA