EMD9T2R

EMD9T2R图片1
EMD9T2R图片2
EMD9T2R图片3
EMD9T2R图片4
EMD9T2R图片5
EMD9T2R图片6
EMD9T2R图片7
EMD9T2R图片8
EMD9T2R图片9
EMD9T2R图片10
EMD9T2R图片11
EMD9T2R图片12
EMD9T2R图片13
EMD9T2R图片14
EMD9T2R图片15
EMD9T2R图片16
EMD9T2R图片17
EMD9T2R概述

ROHM  EMD9T2R  双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, EMT

EMD9 Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - EMT-6


得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6


立创商城:
1个NPN,1个PNP-预偏置 100mA 50V


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 70MA


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 双路, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 100mA 6-Pin EMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R


儒卓力:
**NPN/PNP DIGITAL 10K/47K EMT6 **


Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6


EMD9T2R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 70.0 mA

额定功率 0.15 W

通道数 2

极性 NPN, PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 68

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 EMT-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.5 mm

封装 EMT-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

EMD9T2R引脚图与封装图
EMD9T2R引脚图
EMD9T2R封装图
EMD9T2R封装焊盘图
在线购买EMD9T2R
型号: EMD9T2R
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  EMD9T2R  双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, EMT
替代型号EMD9T2R
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

EMD9T2R

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

MUN5314DW1T1G

安森美

功能相似

EMD9T2R和MUN5314DW1T1G的区别

NSBC114YPDXV6T1G

安森美

功能相似

EMD9T2R和NSBC114YPDXV6T1G的区别

UMD9NTR

罗姆半导体

功能相似

EMD9T2R和UMD9NTR的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台