双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT PNP 50V 100MA 5PIN
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 EMT5
得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT PNP 50V 100MA 5PIN
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 5-Pin EMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 5-Pin EMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 5-Pin EMT T/R
额定功率 0.15 W
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SMD-6
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 SMD-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
EMA3T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
EMA4T2R 罗姆半导体 | 完全替代 | EMA3T2R和EMA4T2R的区别 |
UMA6NTR 罗姆半导体 | 完全替代 | EMA3T2R和UMA6NTR的区别 |
FMA4AT148 罗姆半导体 | 功能相似 | EMA3T2R和FMA4AT148的区别 |