EMH15T2R参数规格_中文资料_数据手册PDF

EMH15T2R概述

EMT NPN 50V 100mA

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 EMT6

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W 6EMT

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R

EMH15T2R中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-6

外形尺寸

封装 SOT-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买EMH15T2R

型号： EMH15T2R

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：EMT NPN 50V 100mA

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