EMH9T2R

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EMH9T2R概述

晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.2 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6


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EMH9T2R


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双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 70MA


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晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.2 电阻比率


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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R


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Trans Digital BJT NPN 100mA 6-Pin EMT T/R


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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R


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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6


EMH9T2R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 70.0 mA

额定功率 0.15 W

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 EMT-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.5 mm

封装 EMT-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

EMH9T2R引脚图与封装图
EMH9T2R引脚图
EMH9T2R封装图
EMH9T2R封装焊盘图
在线购买EMH9T2R
型号: EMH9T2R
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.2 电阻比率
替代型号EMH9T2R
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

EMH9T2R

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

DDC114YH-7

美台

功能相似

EMH9T2R和DDC114YH-7的区别

BL0084M1M-DT

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