晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.2 电阻比率
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
立创商城:
EMH9T2R
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 70MA
e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.2 电阻比率
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 100mA 6-Pin EMT T/R
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Trans Digital BJT NPN 100mA 6-Pin EMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R
Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
额定电压DC 50.0 V
额定电流 70.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 EMT-6
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 EMT-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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EMH9T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DDC114YH-7 美台 | 功能相似 | EMH9T2R和DDC114YH-7的区别 |
BL0084M1M-DT General Cable | 功能相似 | EMH9T2R和BL0084M1M-DT的区别 |