EMA8T2R参数规格_中文资料_数据手册PDF

EMA8T2R概述

EMT PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 300mW Surface Mount EMT5

得捷:
TRANS PREBIAS DUAL PNP EMT5

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 5-Pin EMT T/R

EMA8T2R中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-6

外形尺寸

封装 SMD-6

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买EMA8T2R

型号： EMA8T2R

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：EMT PNP 50V 100mA

替代型号EMA8T2R

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
EMA8T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
FMA8AT148 罗姆半导体	完全替代	EMA8T2R和FMA8AT148的区别
UMA8NTR 罗姆半导体	完全替代	EMA8T2R和UMA8NTR的区别
EMA2T2R 罗姆半导体	类似代替	EMA8T2R和EMA2T2R的区别