双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 100MA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 100MA
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin EMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin EMT T/R
Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 SOT-563
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
EMB4T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DDA114TH-7 美台 | 类似代替 | EMB4T2R和DDA114TH-7的区别 |