2个PNP-预偏置 100mA 50V
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 EMT6
得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
欧时:
PNP+PNP Digital transistor
立创商城:
2个PNP-预偏置 100mA 50V
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin EMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 6-Pin EMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 6-Pin EMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin EMT T/R
Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
DeviceMart:
TRANS DUAL PNP 50V 50MA EMT6
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -50.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 20 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
封装 SOT-563
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
EMB11T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IMB11AT110 罗姆半导体 | 类似代替 | EMB11T2R和IMB11AT110的区别 |