EMT NPN 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 5-Pin EMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin EMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin EMT T/R
Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SMD-6
封装 SMD-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
EMG4T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
UMG4NTR 罗姆半导体 | 完全替代 | EMG4T2R和UMG4NTR的区别 |
EMG3T2R 罗姆半导体 | 完全替代 | EMG4T2R和EMG3T2R的区别 |
UMG6NTR 罗姆半导体 | 完全替代 | EMG4T2R和UMG6NTR的区别 |