EMG2DXV5T5参数规格_中文资料_数据手册PDF

EMG2DXV5T5概述

双偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA - 230mW 表面贴装型 SOT-553

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553

EMG2DXV5T5中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 230 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-553

外形尺寸

封装 SOT-553

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买EMG2DXV5T5

型号： EMG2DXV5T5

描述：双偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

替代型号EMG2DXV5T5

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
EMG2DXV5T5 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
EMG2DXV5T5G 安森美	完全替代	EMG2DXV5T5和EMG2DXV5T5G的区别
EMG2DXV5T1G 安森美	完全替代	EMG2DXV5T5和EMG2DXV5T1G的区别
EMG2DXV5T1 安森美	完全替代	EMG2DXV5T5和EMG2DXV5T1的区别