EMT PNP 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 30MA
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 5-Pin EMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 5-Pin EMT T/R
Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -30.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SMD-6
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 SMD-6
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
EMA2T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FMA2AT148 罗姆半导体 | 类似代替 | EMA2T2R和FMA2AT148的区别 |
UMA2NTR 罗姆半导体 | 类似代替 | EMA2T2R和UMA2NTR的区别 |
EMA8T2R 罗姆半导体 | 类似代替 | EMA2T2R和EMA8T2R的区别 |