NPN/NPN 50V 0.1A双偏置电阻晶体管
EMH4 Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - EMT-6
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
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2个NPN-预偏置 100mA 50V
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双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
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TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 SOT-563
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
EMH4T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DDC114TH-7 美台 | 类似代替 | EMH4T2R和DDC114TH-7的区别 |
NSBC114YDXV6T1G 安森美 | 功能相似 | EMH4T2R和NSBC114YDXV6T1G的区别 |
NSBC114TDXV6T1G 安森美 | 功能相似 | EMH4T2R和NSBC114TDXV6T1G的区别 |