ES6U1T2R概述
WEMT P-CH 12V 1.3A
P-Channel 12V 1.3A Ta 700mW Ta Surface Mount 6-WEMT
得捷:
MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 1.3A 6-Pin WEMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 12V 1.3A 6-Pin WEMT T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 1.3A 6-Pin WEMT T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
ES6U1T2R中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 0.8 W
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 1.3A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 290pF @6VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ES6U1T2R引脚图与封装图 
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