ES6U2T2R概述
WEMT N-CH 20V 1.5A
N-Channel 20V 1.5A Ta 700mW Ta Surface Mount 6-WEMT
得捷:
MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
贸泽:
MOSFET ULTRA-LOW OHMIC RESISTOR; 3/4W; PMR181206 PKG
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin WEMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin WEMT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin WEMT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT / N-Channel 20 V 1.5A Ta 700mW Ta Surface Mount 6-WEMT
ES6U2T2R中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 800 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.5A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 110pF @10VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
外形尺寸
封装 SOT-563-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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