EMH25T2R参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

EMH25T2R图片1

EMH25T2R中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

引脚数 6

封装 EMT

外形尺寸

封装 EMT

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买EMH25T2R

型号： EMH25T2R

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：2个NPN-预偏置 100mA 50V

替代型号EMH25T2R

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

EMH25T2R

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

EMH2T2R

罗姆半导体

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