双极晶体管阵列, 双PNP, -50 V, 150 mW, -100 mA, 120 hFE, SOT-563
晶体管 - 双极 BJT - 阵列 2 PNP(双) 50V 100mA 300MHz 150mW 表面贴装型 EMT6
得捷:
PNP+PNP DRIVER TRANSISTOR. TWO 2
贸泽:
ROHM Semiconductor
e络盟:
双极晶体管阵列, 双PNP, -50 V, 150 mW, -100 mA, 120 hFE, SOT-563
艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
频率 300 MHz
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
封装 SOT-563
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free