EMX1DXV6T5

EMX1DXV6T5图片1
EMX1DXV6T5中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 357 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 120

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.55 mm

封装 SOT-563-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: EMX1DXV6T5
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:双NPN通用晶体管放大器 Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor
替代型号EMX1DXV6T5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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