双N沟道共漏
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 - - 2.6W 表面贴装型 8-WLCSP(6x2.5)
立创商城: EFC4C002NLTDG
得捷: MOSFET 2N-CH 8WLCSP
艾睿: Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin WLCSP T/R
安富利: Trans MOSFET N-CH 8-Pin WLCSP T/R
Verical: Trans MOSFET N-CH 30A 8-Pin WLCSP T/R
耗散功率 2.6 W
上升时间 750 ns
输入电容Ciss 6200pF @15VVds
额定功率Max 2.6 W
下降时间 105 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 WLCSP-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
数据手册