EMF21-7

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EMF21-7概述

Trans Digital BJT NPN/PNP 12V 100mA/1A 300mW 6Pin SOT-563 T/R

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 NPN 预偏压式,1 PNP 50V,12V 100mA,500mA 250MHz,280MHz 300mW 表面贴装型 SOT-563


得捷:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 12V 100mA/1A 6-Pin SOT-563 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 12V 100mA/1A 6-Pin SOT-563 T/R


Win Source:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563


DeviceMart:
TRANS ARRAY COMPLEX 300MW SOT563


EMF21-7中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50V, 12V

集电极最大允许电流 100mA/1A

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买EMF21-7
型号: EMF21-7
制造商: Diodes 美台
描述:Trans Digital BJT NPN/PNP 12V 100mA/1A 300mW 6Pin SOT-563 T/R

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