FGH40T120SMD概述
IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT Trench Field Stop 1.2V 80A 555W Through Hole TO-247-3
得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 3-Pin TO-247 Rail
TME:
Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Rail
FGH40T120SMD中文资料参数规格
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型号： FGH40T120SMD
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。