FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60UFTU 单晶体管, IGBT, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚
分离式 IGBT, Semiconductor
得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
欧时:
### 分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
贸泽:
IGBT Transistors 600V 40A Field Stop
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin3+Tab TO-247AB Tube
富昌:
FGH40N60UF 系列 600 V 80 A 法兰安装 场截止 IGBT - TO-247-3
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin3+Tab TO-247AB Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin3+Tab TO-247AB Rail
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60UFTU IGBT Single Transistor, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins
Win Source:
IGBT 600V 80A 290W TO247
DeviceMart:
IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247
针脚数 3
耗散功率 290 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 290 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 290 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.6 mm
宽度 4.7 mm
高度 20.6 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FGH40N60UFTU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SGH80N60UFTU 飞兆/仙童 | 功能相似 | FGH40N60UFTU和SGH80N60UFTU的区别 |