FGA60N65SMD

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FGA60N65SMD中文资料参数规格
技术参数

额定功率 600 W

耗散功率 600 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 47 ns

额定功率Max 600 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGA60N65SMD
型号: FGA60N65SMD
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FGA60N65SMD 系列 650 V 60 A 场站 IGBT - TO-3PN

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