IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Description
Employing NPT technology, ’s AND series of IGBTs provides low conduction and switching losses. The AND series offers an solution for application such as induction heating IH, motor control, general purpose inverters and uninterruptible power supplies UPS.
Features
• High speed switching
• Low saturation voltage : VCEsat= 2.6 V @ IC= 40A
• High input impedance
• CO-PAK, IGBT with FRD : trr= 75ns typ.
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 64.0 A
耗散功率 500 W
上升时间 20.0 ns
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 112 ns
额定功率Max 500 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
长度 20 mm
宽度 5 mm
高度 26 mm
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99