FF100R12RT4

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FF100R12RT4概述

IGBT 模块,Infineon**Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 模块,

**Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。

IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。

封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


欧时:
Dual Series IGBT Module 1200V 100A


立创商城:
IGBT模块 一个模块配3颗螺丝 一个模块配3颗螺丝


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 555000mW 7-Pin 34MM-1 Tray


安富利:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 100A 7-pin 34MM-1


Chip1Stop:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 100A 7-Pin Tray


Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 555000mW 7-Pin 34MM-1 Tray


儒卓力:
**Dual-IGBT 1200V 100A 34mm **


FF100R12RT4中文资料参数规格
技术参数

额定功率 555 W

耗散功率 555 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 555 W

封装参数

引脚数 7

封装 AG-34MM-1

外形尺寸

长度 94 mm

宽度 34 mm

高度 30.2 mm

封装 AG-34MM-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Welding, Uninterruptible Power Supply UPS, Drives, Induction Heating, Solar, Commercial and Agriculture Vehicles

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

FF100R12RT4引脚图与封装图
FF100R12RT4电路图
在线购买FF100R12RT4
型号: FF100R12RT4
描述:IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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