FFB2227A

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FFB2227A概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FFB2227A  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 30 V, 300 mW, 500 mA, 100 hFE, SC-70

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 60V/-60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 30V/-30V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 500mA/-500mA 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 100 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 300mW Description & Applications| Features •NPN & PNP General Purpose Amplifier 描述与应用| 特点 •NPN及PNP通用放大器


艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R


富昌:
FFB2227A 系列 30 V CE 击穿 0.5 A NPN /PNP 通用 放大器


Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FFB2227A  Bipolar BJT Array Transistor, NPN, PNP, 30 V, 300 mW, 500 mA, 100, SC-70


Win Source:
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SC70-6


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN/PNP 30V SC70-6


FFB2227A中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电流 500 mA

针脚数 6

极性 NPN, PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FFB2227A
型号: FFB2227A
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FFB2227A  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 30 V, 300 mW, 500 mA, 100 hFE, SC-70
替代型号FFB2227A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FFB2227A

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

PUMZ2

恩智浦

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FFB2227A_NL

飞兆/仙童

功能相似

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