FGD3N60LSDTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 6.00 A
耗散功率 40000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 234 ns
额定功率Max 40 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FGD3N60LSDTM
型号： FGD3N60LSDTM
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
替代型号FGD3N60LSDTM
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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