FGB7N60UNDF概述
IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT NPT 600 V 14 A 83 W Surface Mount D2PAK TO-263
得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
贸泽:
IGBT Transistors 600V 7A NPT IGBT
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin2+Tab D2PAK Rail
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin2+Tab D2PAK Rail
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin2+Tab D2PAK Rail
FGB7N60UNDF中文资料参数规格
在线购买FGB7N60UNDF
型号： FGB7N60UNDF
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。