FGH75T65SHDT_F155

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FGH75T65SHDT_F155中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 455 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 76 ns

额定功率Max 455 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGH75T65SHDT_F155
型号: FGH75T65SHDT_F155
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 3Pin TO-247 Tube

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