IGBT 分立，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT 430V 21A 150W Surface Mount D²PAK-6
得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 370V 21A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
富昌:
FGB3040CS 系列 430 V 21 A N 沟道 电流感测 点火 IGBT - TO-263
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 370V 21A 150000mW Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
Win Source:
IGBT 430V 21A 150W TO263-6
极性 N-Channel
耗散功率 150000 mW
击穿电压集电极-发射极 430 V
额定功率Max 150 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 150 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TO-263-6
长度 10.1 mm
宽度 9.4 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-263-6
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99