FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJN3302RTA 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, TO-226AA
The is a NPN epitaxial Silicon Transistor with built-in bias resistors. It can be excellent space-saving solution by reducing component count and simplifying circuit design. It is designed for use with switching, interface and driver circuits, inverters and digital applications.
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- 100mA Output current capability
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- 50V Collector-emitter voltage
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- 50V Collector-base voltage
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- 10V Emitter-base voltage
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- 100mA collector current
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 30
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 1.7 mm
宽度 0.98 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FJN3302RTA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FJN3302RBU 飞兆/仙童 | 完全替代 | FJN3302RTA和FJN3302RBU的区别 |
FJNS3202RTA 飞兆/仙童 | 完全替代 | FJN3302RTA和FJNS3202RTA的区别 |
FJNS3202RBU 飞兆/仙童 | 完全替代 | FJN3302RTA和FJNS3202RBU的区别 |