FGD3325G2_F085

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FGD3325G2_F085中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 150000 mW

击穿电压集电极-发射极 250 V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGD3325G2_F085
型号: FGD3325G2_F085
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans IGBT Chip N-CH 250V 41A 3Pin TO-252 T/R

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