FGP20N60UFDTU

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FGP20N60UFDTU概述

IGBT 分立,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

General Description

Using Novel Field Stop IGBT Technology, ’s new series of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Induction Heating, UPS, SMPS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.

Features

• High current capability

• Low saturation voltage: VCEsat =1.8V @ IC = 20A

• High input impedance

• Fast switching

• RoHS compliant

Applications

• Induction Heating, UPS, SMPS, PFC

FGP20N60UFDTU中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 165000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 35 ns

额定功率Max 165 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 165 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGP20N60UFDTU
型号: FGP20N60UFDTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:IGBT 分立,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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