FGPF70N30TDTU参数规格_中文资料_数据手册PDF

FGPF70N30TDTU概述

Trans IGBT Chip N-CH 300V 3Pin3+Tab TO-220F Rail

Bipolar BJT Transistor

得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 300V 3-Pin3+Tab TO-220F Rail

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 300V 3-Pin3+Tab TO-220F Rail

FGPF70N30TDTU中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 300 V

反向恢复时间 21 ns

额定功率Max 49.2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGPF70N30TDTU

型号： FGPF70N30TDTU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans IGBT Chip N-CH 300V 3Pin3+Tab TO-220F Rail