FGA180N33ATTU

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FGA180N33ATTU概述

Trans IGBT Chip N-CH 330V 180A 390000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Rail

General Description

Using Novel Trench IGBT Technology, ’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are essential.

Features

• High Current Capability

• Low saturation voltage: VCEsat =1.03V @ IC = 40A

• High input impedance

• RoHS compliant

Applications

  PDP SYSTEM

FGA180N33ATTU中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 390 W

击穿电压集电极-发射极 330 V

额定功率Max 390 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 390000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FGA180N33ATTU
型号: FGA180N33ATTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans IGBT Chip N-CH 330V 180A 390000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Rail

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