Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 186000mW 3Pin3+Tab TO-3P Rail
IGBT NPT and Trench 1.2V 30A 186W Through Hole TO-3P
得捷:
IGBT, 30A, 1200V, N-CHANNEL
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab TO-3P Rail
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab TO-3P Rail
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin 3+Tab TO-3P Rail
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 15.0 A
耗散功率 186000 mW
漏源击穿电压 1.20 kV
连续漏极电流Ids 15.0 A
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 330 ns
额定功率Max 186 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 186000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
高度 19.9 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FGA15N120ANTDTU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FGA15N120ANTDTU_F109 飞兆/仙童 | 类似代替 | FGA15N120ANTDTU和FGA15N120ANTDTU_F109的区别 |
FGA15N120ANTD 飞兆/仙童 | 功能相似 | FGA15N120ANTDTU和FGA15N120ANTD的区别 |