FGA15N120FTDTU参数规格_中文资料_数据手册PDF

FGA15N120FTDTU概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 220000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Rail

IGBT Trench Field Stop 1.2V 30A 220W Through Hole TO-3P

得捷:
IGBT, 30A, 1200V, N-CHANNEL

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail

Win Source:
IGBT 1200V 30A 220W TO3PN

FGA15N120FTDTU中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 220000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 575 ns

额定功率Max 220 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 220000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGA15N120FTDTU

型号： FGA15N120FTDTU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 220000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Rail