FGA70N30TDTU

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FGA70N30TDTU中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 300 V

反向恢复时间 21 ns

额定功率Max 201 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGA70N30TDTU
型号: FGA70N30TDTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans IGBT Chip N-CH 300V 3Pin3+Tab TO-3PN Tube

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