FGPF30N30TTU

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FGPF30N30TTU概述

Trans IGBT Chip N-CH 300V 3Pin3+Tab TO-220F Rail

General Description

Using Novel Trench IGBT Technology, ’s new seriesof trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are essential.

Features

• High current capability

• Low saturation voltage: VCEsat =1.4V @ IC= 20A

• High input impedance

• Fast switching

•RoHS complaint

Applications

• PDP System

FGPF30N30TTU中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 300 V

额定功率Max 44.6 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGPF30N30TTU
型号: FGPF30N30TTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans IGBT Chip N-CH 300V 3Pin3+Tab TO-220F Rail

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