FJV3102RMTF

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FJV3102RMTF概述

集成电路

**Switching Application ****Bias Resistor Built In**

• Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit

• Built in bias Resistor R1=10KΩ, R2=10KΩ

• Complement to FJV4102R


得捷:
0.1A, 50V, NPN


立创商城:
1个NPN-预偏置 100mA 50V


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3


FJV3102RMTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJV3102RMTF
型号: FJV3102RMTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:集成电路
替代型号FJV3102RMTF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FJV3102RMTF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

DDTC114ECA-7-F

美台

完全替代

FJV3102RMTF和DDTC114ECA-7-F的区别

PDTC114ET@215

恩智浦

类似代替

FJV3102RMTF和PDTC114ET@215的区别

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