FJV3110RMTF

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FJV3110RMTF概述

Fairchild Semiconductor### 数字晶体管,Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 40V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 100 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor R=10KΩ • Complement to FJV4110R 描述与应用| 特性 •开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路 •内置偏置电阻(R=10KΩ) •FJV4110R的补充

FJV3110RMTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 600

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJV3110RMTF
型号: FJV3110RMTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Fairchild Semiconductor ### 数字晶体管,Fairchild Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

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