成型类型模块 Molding Type Module
IGBT Module Half Bridge 1.2V 75A 445W Chassis Mount 7PM-GA
得捷: IGBT, 75A, 1200V, N-CHANNEL
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 75.0 A
耗散功率 445 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 445 W
安装方式 Chassis
封装 7PM-GA
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册