1个PNP-预偏置 100mA 40V
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 40 V 100 mA 200 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
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1个PNP-预偏置 100mA 40V
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0.1A, 40V, PNP, TO-92
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Trans Digital BJT PNP 40V 100mA 3-Pin TO-92 Ammo
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额定电压DC -40.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FJN4309RTA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FJN4309RBU 飞兆/仙童 | 类似代替 | FJN4309RTA和FJN4309RBU的区别 |