FJV4104RMTF参数规格_中文资料_数据手册PDF

FJV4104RMTF概述

1个PNP-预偏置 100mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3

立创商城:
1个PNP-预偏置 100mA 50V

得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

FJV4104RMTF中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJV4104RMTF

型号： FJV4104RMTF

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：1个PNP-预偏置 100mA 50V

替代型号FJV4104RMTF