FJV4101RMTF

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FJV4101RMTF概述

Fairchild Semiconductor### 数字晶体管,Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 4.7KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 4.7KΩ 电阻比R1/R2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 200MHZ 耗散功率Pc Power dissipation | 0.2w 描述与应用 Description & Applications |


得捷:
0.1A, 50V, PNP


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3


FJV4101RMTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 20 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJV4101RMTF
型号: FJV4101RMTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Fairchild Semiconductor ### 数字晶体管,Fairchild Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
替代型号FJV4101RMTF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FJV4101RMTF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

MMUN2132LT1G

安森美

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